Moduł oferowany także w ramach programów studiów:
Informacje ogólne:
Nazwa:
Podstawy elektroniki
Tok studiów:
2014/2015
Kod:
IIN-1-205-s
Wydział:
Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
Poziom studiów:
Studia I stopnia
Specjalność:
-
Kierunek:
Informatyka
Semestr:
2
Profil kształcenia:
Ogólnoakademicki (A)
Język wykładowy:
Polski
Forma i tryb studiów:
Stacjonarne
Osoba odpowiedzialna:
dr inż. Kościelnik Dariusz (koscieln@agh.edu.pl)
Osoby prowadzące:
dr inż. Dziurdzia Barbara (dziurd@agh.edu.pl)
dr inż. Kościelnik Dariusz (koscieln@agh.edu.pl)
dr hab. Kułak Andrzej (kulak@oa.uj.edu.pl)
dr Magoński Zbigniew (magonski@agh.edu.pl)
dr inż. Maziarz Wojciech (maziarz@agh.edu.pl)
mgr inż. Szyduczyński Jakub (szyduczy@agh.edu.pl)
Krótka charakterystyka modułu

Opis efektów kształcenia dla modułu zajęć
Kod EKM Student, który zaliczył moduł zajęć wie/umie/potrafi Powiązania z EKK Sposób weryfikacji efektów kształcenia (forma zaliczeń)
Wiedza
M_W001 Zna podstawy budowy i zasadę działania elektronicznych elementów półprzewodnikowych. Zna zasady i ograniczenia ich stosowania. IN1A_W11, IN1A_W02 Kolokwium
M_W002 Zna metodykę konstruowania podstawowych układów elektronicznych. Rozumie zasady ich działania oraz reguły dobierania właściwych parametrów pracy. IN1A_W11 Kolokwium
M_W003 Zna podstawowe sposoby analizowania stanu układów elektronicznych, symulowania ich pracy oraz przeprowadzania pomiarów laboratoryjnych. Kolokwium
Umiejętności
M_U001 Potrafi zaprojektować struktury podstawowych układów elektronicznych, dobrać wartości ich elementów składowych oraz wyznaczyć zakres dynamiczny akceptowanych sygnałów wejściowych i generowanych sygnałów wyjściowych. IN1A_U03 Kolokwium
M_U002 Potrafi przygotować model symulacyjny układu elektronicznego, wyznaczyć w sposób symulacyjny wartości panujących w nim napięć i prądów oraz uzyskać i przeanalizować przebiegi czasowe charakteryzujące pracę badanego obwodu. IN1A_U01 Kolokwium
M_U003 Potrafi posługiwać się podstawowymi przyrządami laboratoryjnymi, zestawić stanowisko pomiarowe, odczytać i przeanalizować wskazania przyrządów oraz uzyskać oscylogramy dokumentujące pracę badanego układu. Kolokwium
Kompetencje społeczne
M_K001 Rozumie potrzebę i zna możliwości ciągłego dokształcania się oraz podnoszenia swoich kompetencji zawodowych IN1A_K02 Aktywność na zajęciach
M_K002 Ma świadomość pozatechnicznych aspektów i skutków działalności inżyniera i związanej z tym odpowiedzialności za podejmowane decyzje. IN1A_K03 Aktywność na zajęciach
M_K003 Ma świadomość potrzeby postępowania w sposób profesjonalny oraz przestrzegania zasad etyki zawodowej. Aktywność na zajęciach
Matryca efektów kształcenia w odniesieniu do form zajęć
Kod EKM Student, który zaliczył moduł zajęć wie/umie/potrafi Forma zajęć
Wykład
Ćwicz. aud
Ćwicz. lab
Ćw. proj.
Konw.
Zaj. sem.
Zaj. prakt
Zaj. terenowe
Zaj. warsztatowe
Inne
E-learning
Wiedza
M_W001 Zna podstawy budowy i zasadę działania elektronicznych elementów półprzewodnikowych. Zna zasady i ograniczenia ich stosowania. + - + - - - - - - - -
M_W002 Zna metodykę konstruowania podstawowych układów elektronicznych. Rozumie zasady ich działania oraz reguły dobierania właściwych parametrów pracy. + - + - - - - - - - -
M_W003 Zna podstawowe sposoby analizowania stanu układów elektronicznych, symulowania ich pracy oraz przeprowadzania pomiarów laboratoryjnych. + - - - - - - - - - -
Umiejętności
M_U001 Potrafi zaprojektować struktury podstawowych układów elektronicznych, dobrać wartości ich elementów składowych oraz wyznaczyć zakres dynamiczny akceptowanych sygnałów wejściowych i generowanych sygnałów wyjściowych. + - + - - - - - - - -
M_U002 Potrafi przygotować model symulacyjny układu elektronicznego, wyznaczyć w sposób symulacyjny wartości panujących w nim napięć i prądów oraz uzyskać i przeanalizować przebiegi czasowe charakteryzujące pracę badanego obwodu. + - + - - - - - - - -
M_U003 Potrafi posługiwać się podstawowymi przyrządami laboratoryjnymi, zestawić stanowisko pomiarowe, odczytać i przeanalizować wskazania przyrządów oraz uzyskać oscylogramy dokumentujące pracę badanego układu. + - - - - - - - - - -
Kompetencje społeczne
M_K001 Rozumie potrzebę i zna możliwości ciągłego dokształcania się oraz podnoszenia swoich kompetencji zawodowych + - + - - - - - - - -
M_K002 Ma świadomość pozatechnicznych aspektów i skutków działalności inżyniera i związanej z tym odpowiedzialności za podejmowane decyzje. + - + - - - - - - - -
M_K003 Ma świadomość potrzeby postępowania w sposób profesjonalny oraz przestrzegania zasad etyki zawodowej. + - - - - - - - - - -
Treść modułu zajęć (program wykładów i pozostałych zajęć)
Wykład:
  1. Dioda półprzewodnikowa

    Właściwości diody prostowniczej.
    Obwód elektryczny z diodą prostowniczą.
    Właściwości transformatora elektrycznego.
    Obwód elektryczny napięcia przemiennego z transformatorem.
    Jednopołówkowe prostowanie napięcia przemiennego.
    Filtrowanie tętnień.
    Prostownik dwupołówkowy i mostka Graetza.
    Struktura wewnętrzna diody półprzewodnikowej.
    Napięcie progowe diody półprzewodnikowej.
    Skutki istnienia napięcia progowego.
    Przykłady zastosowań diod – detektor szczytowy.
    Przykłady zastosowań diod – demodulator sygnału AM.
    Rodzaje diod półprzewodnikowych – diody polaryzowane w kierunku przewodzenia.
    Rodzaje diod półprzewodnikowych – diody polaryzowane w kierunku zaporowym.

  2. Tranzystor unipolarny MOS

    Podstawowa właściwość tranzystora unipolarnego MOS.
    Tranzystorowy wzmacniacz transkonduktancyjny.
    Tranzystorowy wzmacniacz napięciowy.
    Składowa stała i zmienna wzmacnianego sygnału.
    Ograniczenia tranzystora – jednokierunkowy przepływ prądu.
    Ograniczenia tranzystora – napięcie progowe złącza bramka-źródło.
    Wzmacniacz transkonduktancyjny z napięciem progowym bramki.
    Wzmacniacz napięcie z napięciem progowym bramki.
    Skutki istnienia napięcia progowego.

  3. Wprowadzanie tranzystora MOS w zaakres aktywny

    Wprowadzane pożądanej składowej stałej do przetwarzanego sygnału.
    Prosty sposób wytwarzania napięcia polaryzującego tranzystor.
    Wstępne polaryzowanie tranzystora – wprowadzanie tranzystora w zakres pracy aktywnej.
    Potencjometryczny układ polaryzowania tranzystora MOS.
    Doprowadzanie do spolaryzowanego tranzystora składowej zmiennej sygnału.
    Międzystopniowe sprzężenie pojemnościowe.
    Złożenie składowych stałych i zmiennych na wejściu i wyjściu wzmacniacza.
    Zakres dynamiczny sygnału wejściowego i wyjściowego.
    Przekroczenie dostępnego zakresu dynamicznego.

  4. Praca tranzystora MOS w układzie klucza

    Obwód z kluczem tranzystorowym NMOS i PMOS.
    Moc rozpraszana w kluczu.
    Symetria wykorzystywania kluczy tranzystorowych NMOS i PMOS.
    Praca tranzystora unipolarnego w charakterze łącznika liniowego.
    Ograniczenia łącznika liniowego z tranzystorem NMOS lub PMOS.
    Bramka transmisyjna CMOS.
    Multiplekser analogowy.
    Demultiplekser analogowy.
    Układ próbkująco-pamiętający.
    Wielokanałowy układ przetwarzania analogowo/cyfrowego.

  5. Bramki cyfrowe CMOS

    Struktura inwertera logicznego CMOS.
    Wejściowe poziomy napięciowe stanów logicznych.
    Dynamiczny pobór prądu przez inwerter CMOS.
    Struktura bramki logicznej NAND.
    Tworzenie bramki logicznej AND.
    Struktura bramki logicznej NOR.
    Tworzenie bramki logicznej OR.
    Narażenia elektrostatyczne wejść układów MOS.

  6. Wzmacniacz operacyjny

    Podstawowa właściwość idealnego wzmacniacza operacyjnego.
    Wzmacniacz operacyjny pracujący w charakterze komparatora.
    Przykład wykorzystania komparatora – regulator temperatury.
    Wzmacniacz operacyjny pracujący w układzie wtórnika napięciowego.
    Wtórnik napięciowy jako separator źródła sygnału i obciążenia.
    Idealizowanie elementów poprzez objęcie ich pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego.
    Układ z częściowym ujemnym sprzężeniem zwrotnym – wzmacniacz nieodwracający.
    Modyfikacje podstawowej struktury wzmacniacza nieodwracającego.
    Wzmacniacz odwracający i masa pozorna.
    Inwerter analogowy.
    Sumator odwracający.
    Sumator odwracający, wagowy, binarny/
    Przetwornik cyfrowo/analogowy.
    Idealny układ całkujący.
    Idealny układ różniczkujący.
    Wzmacniacz różnicy sygnałów.

  7. Detektor progowy

    Detektor progowy bez dodatniego sprzężenia zwrotnego – komparator prosty.
    Detektor progowy z pętlą dodatniego sprzężenia zwrotnego – komparator z regeneracją.
    Sposób tworzenia detektora progowego z histerezą.
    Detekcja progowa sygnału zaszumionego.
    Odbiornik transmisji cyfrowej z histerezą.
    Detektor progowy z regulowanym położeniem pętli histerezy.

  8. Generator relaksacyjny

    Sposób tworzenia astabilnego generatora relaksacyjnego.
    Astabilny generator relaksacyjny.
    Monostabilny generator relaksacyjny.
    Uogólniona koncepcja generatora relaksacyjnego.
    Scalony uniwersalny generator relaksacyjny 555.
    Astabilny generator relaksacyjny z układem 555,
    Generator relaksacyjny z układem 555 i asymetrycznym sygnałem wyjściowym,
    Monostabilny generator relaksacyjny z układem 555.
    Generator sterowany napięciem – VCO.
    Modulator częstotliwości – FM.

  9. Pętla synchronizacji fazy – PLL

    Struktura pętli fazowej.
    Prosty detektor fazy typu I.
    Detektor fazy typu II – z zerową różnicą fazy w stanie synchronizacji.
    Odtwarzanie częstotliwości zegara transmisyjnego odbieranego przebiegu binarnego.
    Demodulator częstotliwości – FM.
    Powielacz częstotliwości.
    Syntezer częstotliwości.

Ćwiczenia laboratoryjne:
  1. Wprowadzenie do programu MULTISIM

    Przykłady zastosowania programu MultiSim do symulacji prostych obwodów elektrycznych.
    Sprawdzenie prawa Ohma i praw Kirchhoffa na przykładzie obwodów rezystancyjnych.
    Analiza w dziedzinie czasu obwodów RC.
    Rezystancyjne dzielniki napięcia.
    Analiza w dziedzinie czasu obwodów LR.

  2. Dioda półprzewodnikowa

    Działanie prostownicze diody półprzewodnikowej w obwodzie elektrycznym.
    Prostownik jednopołówkowy z filtrem RC na wyjściu.
    Prostownik dwupołówkowy z układem Graetza.
    Detektor szczytowy.
    Demodulator diodowy.
    Ogranicznik diodowy.

  3. Tranzystor unipolarny część 1

    Wyznaczenie wartości napięcia progowego tranzystora unipolarnego NMOS.
    Tranzystor unipolarny w układzie wzmacniacza sygnałów zmiennych.
    Wyznaczanie punktu pracy tranzystora unipolarnego.
    Tranzystor unipolarny jako łącznik liniowy.

  4. Tranzystor unipolarny część 2

    Tranzystor unipolarny MOS jako klucz przełączający.
    Inwerter logiczny CMOS .
    Bramka NAND w technologii CMOS.
    Bramka AND w technologii CMOS.
    Bramka NOR w technologii CMOS.
    Bramka OR w technologii CMOS.

  5. Wzmacniacz operacyjny

    Wzmacniacz operacyjny w układzie wtórnika napięciowego.
    Wzmacniacz operacyjny w układzie wzmacniacza nieodwracającego.
    Wzmacniacz operacyjny w układzie wzmacniacza odwracającego.
    Wzmacniacz operacyjny jako integrator analogowy.
    Wzmacniacz operacyjny w układzie sumatora.
    Wzmacniacz operacyjny jako aktywny detektor szczytowy.
    Wzmacniacz operacyjny w układzie wzmacniacza różnicowego.
    Wzmacniacz operacyjny jako detektor progowy z histerezą.

  6. Generator relaksacyjny

    Generator relaksacyjny z pojedynczym wzmacniaczem operacyjnym.
    Generator relaksacyjny z dwoma komparatorami.
    Generator wykorzystujący scalony uniwersalny układ typu 555 – generator astabilny i generator monostabilny.
    Generator sterowany napięciem VCO.

  7. Pętla synchronizacji fazowej – PLL

    Obserwacja synchronizowania się pętli fazowej.
    Dostrajanie się częstotliwości oscylatora do częstotliwości sygnału wzorcowego.
    Generator kontrolowany za pośrednictwem pętli fazowej.
    Zastosowanie pętli fazowej jako powielacza częstotliwości.
    Zastosowanie pętli fazowej jako podzielnika częstotliwości.

Nakład pracy studenta (bilans punktów ECTS)
Forma aktywności studenta Obciążenie studenta
Sumaryczne obciążenie pracą studenta 56 godz
Punkty ECTS za moduł 2 ECTS
Udział w wykładach 15 godz
Samodzielne studiowanie tematyki zajęć 10 godz
Udział w ćwiczeniach laboratoryjnych 15 godz
Przygotowanie do zajęć 8 godz
Przygotowanie sprawozdania, pracy pisemnej, prezentacji, itp. 8 godz
Pozostałe informacje
Sposób obliczania oceny końcowej:

Ocena końcowa jest oceną uzyskaną z ćwiczeń z laboratoryjnych

Wymagania wstępne i dodatkowe:

Podstawowe wiadomości z elektrotechniki.

Zalecana literatura i pomoce naukowe:

1.Praca zbiorowa pod red St. Kuty: Przyrządy półprzewodnikowe i układy elektroniczne cz. I i II", Wyd AGH, Kraków 2000.
2. U. Tietze, Ch. Schenk: „Układy półprzewodnikowe”, WNT, Warszawa 2009
3. J. Kalisz: Podstawy elektroniki cyfrowej. WKŁ, Warszawa 2007
4. B. Wilkinson: Układy cyfrowe. WKŁ, Warszawa 2000
5. P. Horowitz, W. Hill: Sztuka Elektroniki, WKŁ, Warszawa 2001
6.Ciążyński W.E.: Elektronika analogowa w zadaniach. Tom 1-8, Gliwice, WPŚl 2010.
Literatura uzupełniająca
4.Gray P.R., Hurst P.J., Lewis J.H., Meyer R.G.; Analysis and design of analog integrated circuits, 4th ed., Wiley, New York 2001.
5.Allen P.E., Holberg D.R.; “CMOS Analog Circuit Design”, Oxford UP, 2002
6.Baker R.J.: “CMOS”, Wiley, 3rd ed.,IEEE Press, 2010

Publikacje naukowe osób prowadzących zajęcia związane z tematyką modułu:

Nie podano dodatkowych publikacji

Informacje dodatkowe:

Brak